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IXFN55N120SK
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 54 A, 1.2 kV, 42 mohm, SOT-227B
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN55N120SK
No. Parte Newark94AK7048
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id54
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente42
Diseño de TransistorSOT-227B
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
54
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
42
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
SOT-227B
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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