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MOSFET de señal pequeña para aplicaciones portátiles

MOSFET de señal pequeña de gran volumen para aplicaciones portátiles en paquetes WLCSP y DFN sin plomo

MOSFET de señal pequeña

MOSFET de señal pequeña para aplicaciones portátiles, como controladores de relés, circuitos de conmutación, convertidores CC/CC y más. Ofrecemos una amplia gama de opciones de paquete, desde los paquetes más pequeños, como el DFN0606, hasta el DFN2020M-6 ultradelgado sin plomo. Opciones óptimas entre el canal N y el canal P con una variedad de rangos de RDS(on).

Características clave

  • Voltaje de umbral bajo
  • Conmutación muy rápida
  • Presentamos el MOSFET DFN más pequeño de 0.63x0.33x0.25 mm y el paquete SMD DFN2020M-6 ultradelgado sin plomo
  • El mejor RDS(on) bajo de su clase

Aplicaciones

  • Controlador de relé
  • Controlador de línea de alta velocidad
  • Interruptor de carga del lado alto
  • Circuitos de conmutación
  • Conmutador de batería
  • Conmutador de carga para dispositivos portátiles
  • Convertidores CC/CC
  • Administración de energía en dispositivos portátiles accionados por batería
  • Administración de potencia informática
PMX100UN

PMX100UN

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un dispositivo de montaje en superficie (SMD) ultrapequeño DFN0603-3 (SOT8013) sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMX100UNZ

PMX100UNZ

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un dispositivo de montaje en superficie (SMD) ultrapequeño DFN0603-3 (SOT8013) sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMX400UP

PMX400UP

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de 20 V en un dispositivo de montaje en superficie (SMD) ultrapequeño DFN0603-3 (SOT8013) sin plomo que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMPB07R3EN

PMPB07R3EN

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 30 V en un paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD) DFN2020M-6 (SOT1220-2) de media potencia sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 10 V (mΩ): 8.6 y RDSon [máx.] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 12

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PMCA14UN

PMCA14UN

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 12 V en un paquete de dispositivo de montaje en superficie (SMD) ultrapequeño DSN1010-3 (SOT8007) sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMCM6501UPE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de 20 V en un paquete de tamaño de chip a nivel de oblea (WLCSP) de 6 topes que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMCM4401UNE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un paquete de tamaño de chip a nivel de oblea (WLCSP) de 4 topes y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMCM4401VPE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de 12 V en un paquete de tamaño de chip a nivel de oblea (WLCSP) de 4 topes que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMCM6501UNE

PMCM6501UNE

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un paquete de tamaño de chip a nivel de oblea (WLCSP) de 6 topes y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMCM4402UPE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de 20 V, en un paquete de tamaño de chip a nivel de oblea (WLCSP) de 4 topes y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 80 y RDSon [máx.] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 110

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PMH550UPE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de 20 V en un paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD), DFN0606-3 (SOT8001) ultrapequeño sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET

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PMH600UNE

PMH600UNE

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD) DFN0606-3 (SOT8001) ultrapequeño sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 620 y RDSon [máx.] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 710

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PMH260UNE

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 20 V en un paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD) DFN0606-3 (SOT8001) ultrapequeño sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 310 y RDSon [máx.] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 420

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NX138BKH

NX138BKH

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 60 V en un paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD) DFN0606-3 (SOT8001) ultrapequeño sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 10 V (mΩ): 1600 y RDSon [máx.] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 2700

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PMCB60XN

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de 30 V en un paquete de dispositivo de montaje en superficie (SMD) DSN1006-3 (SOT8026) ultrapequeño sin plomo y que utiliza la tecnología Trench MOSFET con RDSon [máx.] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 50 y RDSon [máx.] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 65

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