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PXP3R7-12QUJ
MOSFET, P-CH, 12V, 18.7A, MLPAK33
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXP3R7-12QUJ
No. Parte Newark85AJ4191
Rango de ProductoTrench Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.960 |
| 10+ | $1.400 |
| 25+ | $1.340 |
| 50+ | $1.260 |
| 100+ | $1.200 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXP3R7-12QUJ
No. Parte Newark85AJ4191
Rango de ProductoTrench Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id18.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorMLPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3200µohm
Diseño de Transistor
MLPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
Disipación de Potencia
1.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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