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FDS6680A

MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montaje Superficial

FDS6680A - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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No. Parte Fabricante:
FDS6680A
No. Parte Newark
78K5944
Hoja de datos técnicos:
FDS6680A   Datasheet
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Resumen del producto

The FDS6680A is a 30V N-channel logic level PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability
  • Ultra-low gate charge

Aplicaciones

Administración de Potencia, Industrial

Información del producto

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:
Canal N

:
30V

:
12.5A

:
0.0095ohm

:
SOIC

:
Montaje Superficial

:
10V

:
2V

:
2.5W

:
8Pines

:
150°C

:
-

:
-

:
MSL 1 - Unlimited
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