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FDMS3662
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 49 A, 0.0114 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS3662
No. Parte Newark85W3147
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id49
Resistencia de Activación Rds(on)0.0114ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0114
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd104W
Diseño de TransistorPower 56
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0114ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0114
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDMS3662
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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