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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.040 |
| 10+ | $1.540 |
| 25+ | $1.410 |
| 50+ | $1.270 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.941 |
| 1000+ | $0.879 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTYS009N08HLTWG
No. Parte Newark81AK4248
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id58A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0086ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia73W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58A
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
73W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0086ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto