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NVBG040N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG040N120M3S
No. Parte Newark80AK5051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
1,400 En Stock
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1200 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $26.030 |
| 10+ | $23.100 |
| 25+ | $22.730 |
| 50+ | $22.380 |
| 100+ | $22.010 |
| 250+ | $21.170 |
| 500+ | $20.330 |
| 1600+ | $20.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$26.03
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG040N120M3S
No. Parte Newark80AK5051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id49A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0405ohm
Diseño de TransistorD2PAK-7L
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.22V
Disipación de Potencia297W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
49A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0405ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.22V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
D2PAK-7L
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
297W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto