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coolsic™ 1200 v sic trench mosfet

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Configuración de Módulo MOSFET Tipo de Canal Transistor, Polaridad Intensidad Drenador Continua Id Voltaje de Drenaje-Fuente Vds Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente Resistencia de Activación Rds(on) Diseño de Transistor Núm. de Contactos Voltaje de Prueba Rds(on) Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente Disipación de Potencia Disipación de Potencia Pd Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
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IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1 - MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)

92AH5311

MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)

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IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R650M1XTMA1 - MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)

91AH7662

MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)

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DF23MR12W1M1PB11BPSA1
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

91AH7044

MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

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IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1 - MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

91AH7661

MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 - MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

91AH7523

MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

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Medio Puente Doble Canal N Canal N Dual 200A 1.2kV 0.00563ohm 0.00563ohm Module -Pines 15V 4.5V -mW - 150°C CoolSiC Trench Series
IMWH170R1K0M1XKSA1
IMWH170R1K0M1XKSA1 - COOLSIC 1700V SIC TRENCH MOSFET

02AM9133

 
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COOLSIC 1700V SIC TRENCH MOSFET

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IMWH170R450M1XKSA1
IMWH170R450M1XKSA1 - COOLSIC 1700V SIC TRENCH MOSFET

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IMWH170R650M1XKSA1
IMWH170R650M1XKSA1 - COOLSIC 1700V SIC TRENCH MOSFET

02AM9135

 
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