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KIT8020-CRD-8FF1217P-1

Kit de Evaluación, MOSFET SiC, C2M0080120D

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No. Parte Fabricante:
KIT8020-CRD-8FF1217P-1
No. Parte Newark
94X4142
Hoja de datos técnicos:
KIT8020-CRD-8FF1217P-1   Datasheet
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Resumen del producto

El KIT8020-CRD-8FF1217P-1 es un kit de evaluación MOSFET de carburo de silicio que demuestra el alto rendimiento del CREE 1200V SiC MOSFET y los diodos Schottky de SiC (SBD) en el paquete estándar TO-247. La placa EVL se puede utilizar para los siguientes fines, como evaluar el rendimiento del MOSFET de SiC durante los eventos de conmutación y el funcionamiento en estado estable, configurar fácilmente diferentes topologías con MOSFET de SiC y diodos de SiC, pruebas funcionales con MOSFET de SiC, ejemplo de diseño de PCB para conducir Cree MOSFET, unidad de puerta Diseño de referencia para un MOSFET Cree empaquetado TO-247, pruebas comparativas entre dispositivos Cree e IGBT. Hay un tramo de fase que puede incluir 2 MOSFET de SiC (Q1 y Q2) con configuración de tramo de fase de medio puente y 2 diodos Schottky antiparalelos de SiC (D1 y D3) con Q1 y Q2. El bloque de accionamiento de la puerta con aislamiento eléctrico está diseñado a bordo para impulsar el SiC MOSFET Q1 y Q2. Hay 4 conec
  • El tamaño de la tarjeta EVL es de 124mm x 120mm x 40mm
  • Topologías probadas sincrónica y no sincrónica, sincrónica y sin sincrónica
  • Puente de media fase, puente H (2 x tableros EVL) y convertidores bi-direccionales de aumento de impulso

Aplicaciones

Administración de Potencia

Información del producto

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C2M0080120D

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Power Management

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MOSFET SiC

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Tarjeta de Evaluación C2M0080120D

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