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GD150HFY120C8S
Módulo IGBT, Medio Puente, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $97.430 |
| 5+ | $95.670 |
| 10+ | $93.830 |
| 32+ | $92.910 |
| 64+ | $92.010 |
| 112+ | $88.400 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD150HFY120C8S
No. Parte Newark84AH5714
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua291A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia1.102kW
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
291A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia
1.102kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto