Semiconductores - Discretos | Newark Electrónica México

¿Busca puentes rectificadores, diodos, MOSFET, TRIAC, DIAC o SIDAC? Si lo que necesita es un componente discreto, Newark es el lugar adecuado.

Diodos

Diodos (15,933)

IGBTs

IGBTs (1,307)

Más de Semiconductores - Discretos

Más de Semiconductores - Discretos (1,469)

Módulos Inteligentes de Potencia

Módulos Inteligentes de Potencia (137)

Módulos de Diodos

Módulos de Diodos (389)

Surtido de Semiconductores

Surtido de Semiconductores (21)

Tiristores

Tiristores (1,330)

Transistores

Transistores (5,382)

Transistores MOSFET

Transistores MOSFET (13,712)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS

Integrados de prinicipio a fin

Integrados de prinicipio a fin

Su meta para componentes integrados

TOSHIBA

Circuitos integrados digitales monolíticos de silicio TOSHIBA

Circuitos integrados digitales monolíticos de silicio TOSHIBA

smart-home

Casa inteligente: la inteligencia dentro de cada habitación

Comodidad más inteligente, seguridad más robusta y control sin problemas