IGBTs:

Nuevos Semiconductores - Discretos

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS