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SH32N65DM6AG
MOSFET, DUAL N-CH, 650V, 32A, ACEPACK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSH32N65DM6AGCopiar
No. Parte Newark78AK8549
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.440 |
| 10+ | $14.880 |
| 25+ | $13.230 |
| 50+ | $12.600 |
| 100+ | $11.990 |
| 400+ | $11.550 |
| 600+ | $11.190 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSH32N65DM6AGCopiar
No. Parte Newark78AK8549
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N650V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N32A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.097ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorACEPACK SMIT
No. de Pines9Pines
Disipación de Potencia de Canal N208W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
9Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
650V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
32A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.097ohm
Diseño de Transistor
ACEPACK SMIT
Disipación de Potencia de Canal N
208W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto