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CSD16401Q5
FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
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No. Parte Newark26AJ5565
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.160 |
| 10+ | $2.950 |
| 25+ | $2.810 |
| 50+ | $2.680 |
| 100+ | $2.570 |
| 250+ | $2.480 |
| 500+ | $2.430 |
| 1000+ | $2.390 |
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD16401Q5Copiar
No. Parte Newark26AJ5565
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Diseño de TransistorSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia3.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SON
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
3.1W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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