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FF2MR12KM1PHOSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2MR12KM1PHOSA1
No. Parte Newark82AH4537
Rango de ProductoCoolSiC C Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2MR12KM1PHOSA1
No. Parte Newark82AH4537
Rango de ProductoCoolSiC C Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Intensidad Drenador Continua Id500A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.00213ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00213ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolSiC C Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00213ohm
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
CoolSiC C Series
Tipo de Canal
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00213ohm
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto