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IMBG65R020M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R020M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4558
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Su número de pieza
555 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.580 |
| 10+ | $11.880 |
| 25+ | $11.220 |
| 50+ | $10.550 |
| 100+ | $9.890 |
| 250+ | $9.360 |
| 500+ | $8.810 |
| 1000+ | $8.250 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R020M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4558
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id91
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia326
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
91
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
326
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto