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BM3G115MUV-LBE2
GAN HEMT POWER STAGE IC, VQFN046V8080 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.990 |
| 10+ | $7.770 |
| 25+ | $7.220 |
| 50+ | $6.920 |
| 100+ | $6.610 |
| 250+ | $6.320 |
| 500+ | $6.150 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBM3G115MUV-LBE2
No. Parte Newark42AM5203
Función del ICGaN HEMT Power Stage
Tensión de Alimentación Mín.6.83V
Tensión de Alimentación Máx.30V
Formato ICVQFN046V8080
No. de Pines46Pines
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.105°C
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Función del IC
GaN HEMT Power Stage
Tensión de Alimentación Máx.
30V
No. de Pines
46Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
105°C
Norma de Cualificación Automotriz
-
Tensión de Alimentación Mín.
6.83V
Formato IC
VQFN046V8080
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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