HMC349AMS8GE

El HMC349AMS8G es un interruptor de arseniuro de galio (GaAs), transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (PHEMT), unipolar, de doble tiro (SPDT) especificado de 100MHz a 4GHz. El HMC349AMS8G funciona con un solo voltaje de suministro positivo de 3V a 5V y proporciona una interfaz de control compatible con CMOS-/TTL. La aplicación incluye infraestructura celular/4G, infraestructura inalámbrica, radios móviles, equipos de prueba.

• Diseño no reflectante de 50 ohms
• El alto aislamiento es de 57 dB a 2 GHz, la baja pérdida de inserción es de 0.9dB a 2GHz
• Alta linealidad de entrada, manejo de alta potencia
• La compresión de potencia de 1dB es de 28dBm (típico, VDD = 3V, TCASE = 25°C)
• La intercepción de tercer orden es 50dBm típica en (VDD = 3.3V, VSS = -3.3V)
• 33.5dBm a través de ruta, 26.5dBm ruta terminada
• Rango de suministro positivo único de 3V a 5V
• Control compatible con CMOS-/TTL, todo fuera de control de estado
• Rango de frecuencia de 0.1 a 4GHz (VDD = 3V a 5V, TCASE = 25 °C)
• Paquete MINI-SO-EP de 8 derivaciones, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +125°C

Notas

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