HMC582LP5E

El HMC582LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta salidas de media frecuencia y divididas por 4. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. Las funciones de preescalador y RF/2 se pueden desactivar para conservar corriente si no es necesario. La aplicación típica incluye radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, SATCOM, uso final militar.

• No se necesita resonador externo
• Rango de frecuencia de 11.1 a 12.4GHz (Fo, TA = +25 °C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Rango de potencia de salida de +5 a +12dBm (RFOUT, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Ruido de fase SSB con compensación de 100KHz, Vtune = +5V en RFOUT es -110dBc/Hz (típico, TA = +25°C)
• Rango de voltaje de sintonía de 2 a 12V (Vtune, TA = +25 °C)
• La corriente de suministro es de 350mA (típico, Icc (Dig) + Icc (Amp) + Icc (RF), TA = +25 °C)
• La corriente de fuga del puerto de sintonización (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25 °C)
• La pérdida de retorno de salida es de 2dB (típico, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Los armónicos/subarmónicos son 32dBc (típico, 1/2, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Paquete QFN de 32 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C

Notas

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