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2SD1223(TE16L1,NQ)
Transistor Darlington, NPN, 80 V, 1 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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| 25+ | $0.681 |
| 50+ | $0.596 |
| 100+ | $0.510 |
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| 500+ | $0.399 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SD1223(TE16L1,NQ)
No. Parte Newark29AM9449
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80
Disipación de Potencia Pd1
Corriente de Colector DC4
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE2000
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Disipación de Potencia Pd
1
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
2000
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80
Corriente de Colector DC
4
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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