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G3F09MT12G3T
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, MODULE
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F09MT12G3T
No. Parte Newark39AM8766
Rango de ProductoSiCPAK G Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $261.350 |
| 5+ | $257.460 |
| 10+ | $253.690 |
| 25+ | $238.470 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F09MT12G3T
No. Parte Newark39AM8766
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETThree Level Inverter
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9300µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Three Level Inverter
Intensidad Drenador Continua Id
-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9300µohm
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
SiCPAK G Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto