CY62148ELL-55SXIT

CY62148ELL-55SXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento de 4 Mbit (512 K × 8) organizada como 512 K palabras por 8 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente de espera ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando la dirección no está cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99% cuando no está seleccionado (activo bajo CE ALTO). Los ocho pines de entrada y salida (I/O0 a I/O7) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (CE bajo activo HIGH), la salida está deshabilitada (OE bajo activo HIGH) o durante una operación de escritura activa (CE bajo activo LOW y WE LOW). La aplicación incluye sistemas de alarma inteligentes.

• Rango VCC de 4.5 a 5.5V, velocidad de 45ns
• Rango operativo ICC desde 3.5mA típico (f = 1MHz, VCC = VCC (típico), TA = 25 °C)
• El ISB2 en espera es 2.5µA típico (VCC=VCC(típico), TA=25 °C)
• Pin Compatible con CY62148B
• La corriente activa típica es de 3.5mA a f = 1MHz
• Ampliación de memoria sencilla con funciones de CE baja activa y OE baja activa
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• La capacitancia de entrada y salida es de 10pF máx. (TA=25 °C, f=1 MHz, VCC=VCC(típico))
• Paquete SOIC de 32 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C