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CY62148EV30LL-55SXI
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 512K x 8bit, SOIC, 32 Pines, 2.2 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62148EV30LL-55SXI
No. Parte Newark06W0671
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62148EV30LL-55SXI
No. Parte Newark06W0671
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria512K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines32Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.2V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
512K x 8bit
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
32Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.2V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
SOIC
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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