CY7C1011DV33-10ZSXI

CY7C1011DV33-10ZSXI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 128K palabras por 16 bits. La escritura en el dispositivo se logra tomando las entradas de habilitación de chip (CE bajo activo) y habilitación de escritura (WE bajo activo) en BAJA. La lectura desde el dispositivo se logra tomando la habilitación del chip (CE baja activa) y la habilitación de salida (OE baja activa) en BAJA mientras se fuerza la habilitación de escritura (WE baja activa) en ALTA. Los pines de entrada/salida (I/O0 a I/O15) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (CE activo bajo HIGH), las salidas están deshabilitadas (OE activo bajo HIGH), el BHE activo bajo y el BLE activo bajo están deshabilitados (BHE activo bajo, BLE activo bajo HIGH) o durante una operación de escritura (CE activo bajo LOW y WE activo bajo LOW).

• Compatible con pines y funciones de CY7C1011CV33
• Alta velocidad, tAA=10ns
• La corriente de suministro operativo VCC es de 90mA máximo a 100MHz, VCC=Máx., f=fMAX=1/tRC
• La corriente de apagado automático CE para las entradas CMOS es de 10mA
• Retención de datos a 2.0V
• Apagado automático cuando se deselecciona, control independiente de bits superiores e inferiores
• Fácil expansión de memoria con funciones CE activas bajas y OE activas bajas
• Vcc es 3.3V ±0.3V
• Paquete TSOP II de 44 pines
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C