CY7C1041GN30-10ZSXIT

CY7C1041GN30-10ZSXIT es una RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento organizada como 256K palabras por 16 bits. Las escrituras de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de escritura (WE activo bajo) en BAJA, mientras se proporcionan los datos en I/O0 a I/O15 y la dirección en los pines A0 a A17. Las entradas Byte High Enable (BHE activo-bajo) y Byte Low Enable (BLE activo-bajo) controlan las operaciones de escritura en los bytes superiores e inferiores de la ubicación de memoria especificada. BHE controla E/S8 a E/S15 y BLE controla E/S0 a E/S7. Las lecturas de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de salida (OE activo bajo) en BAJA y proporcionando la dirección requerida en las líneas de dirección. Los datos de lectura son accesibles en las líneas de E/S (E/S0 a E/S15). Los accesos a bytes se pueden realizar activando la señal de habilitación de bytes requerida (BHE activo bajo o BLE activo bajo) para leer el byte superior o el byte inferior de datos desde la ubicación de dirección especificada.

• Familia de SRAM asíncronas rápidas, densidad de 4Mbit, ancho de datos de 16 bits
• Tecnología de proceso de 65nm, rango de voltaje de 2.2V a 3.6V, velocidad de 10ns
• Retención de datos de 1.0V, entradas y salidas compatibles con TTL
• La corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VIN <lt/> VCC)
• La corriente de suministro de funcionamiento es de 38mA típica a (VCC máximo, IOUT = 0mA, niveles CMOS)
• La capacitancia de entrada es 10pF típica a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC(típ))
• La corriente de retención de datos es de 8 mA como máximo a (VCC = 1.2V, CE <lt/> VCC – 0.2V)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA máximo a (GND <lt/> VOUT <lt/> VCC)
• La VCC para retención de datos es de 1V mín. a (40 °C a 85 °C)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete TSOP de 44 pines