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CY7C1049GN30-10ZSXIT
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, TSOP-II, 44 Pines, 2.2 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049GN30-10ZSXIT
No. Parte Newark62AK5243
Hoja de datos técnicos
982 En Stock
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40 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
942 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.270 |
| 10+ | $5.270 |
| 25+ | $5.270 |
| 50+ | $5.270 |
| 100+ | $5.270 |
| 250+ | $5.270 |
| 500+ | $5.270 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.27
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049GN30-10ZSXIT
No. Parte Newark62AK5243
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria512Kword x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP-II
No. de Pines44Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.-
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a CY7C1049GN high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and write enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data reads are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and output enable (OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).
- High speed is tAA = 10ns
- Low active and standby currents
- Active current: ICC = 38mA typical
- 1.0V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 2.2V to 3.6V voltage range
- 44-pin TSOP II package
- Industrial temperature range from –40°C to +85°C
- 65nm process technology
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
512Kword x 8bit
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
44Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
Tensión de Alimentación Mín.
2.2V
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto