CY7C1051H30-10ZSXI

El CY7C1051H30-10ZSXI es un dispositivo de RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento con ECC integrado. Para acceder al dispositivo, active la entrada BAJA de habilitación del chip (CE baja activa). Para realizar escrituras de datos, active la entrada Habilitar escritura (WE baja activa) en BAJA y proporcione los datos y la dirección en los pines de datos del dispositivo (I/O0 a I/O15) y los pines de dirección (A0 a A18) respectivamente. Las entradas Byte High Enable (BHE bajo activo) y Byte Low Enable (BLE bajo activo) controlan las escrituras de bytes y escriben datos en las líneas de E/S correspondientes a la ubicación de memoria especificada. BHE controla E/S8 a E/S15 y BLE controla E/S0 a E/S7. Para realizar lecturas de datos, active la entrada Habilitar salida (OE baja activa) y proporcione la dirección requerida en las líneas de dirección. Los datos de lectura son accesibles en las líneas de E/S (E/S0 a E/S15). Puede realizar accesos de bytes activando la señal de habilitación de bytes requerida (BHE bajo activo o BLE bajo activo) para leer el byte superior o el byte inferior de datos desde la ubicación de dirección especificada.

• Código de corrección de errores integrado (ECC) para la corrección de errores de un solo bit
• Entradas y salidas compatibles con lógica transistor-transistor (TTL)
• Rango de voltaje de funcionamiento desde 2.2V hasta 3.6V
• Rango de corriente de fuga de entrada de -1.0 a +1.0µA (GND <lt/> VIN <lt/> VCC)
• La corriente de suministro de funcionamiento es de 90.0mA típica (VCC = máx., IOUT = 0mA, f = 100MHz)
• La capacitancia de entrada es 10pF (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VCC = VCC(típ))
• La capacitancia de E/S es 10pF (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC(típico))
• El VCC para retención de datos es de 1.0V como mínimo
• El tiempo de recuperación de la operación es de 10.0ns como mínimo (VCC <gt/> 2.2V)
• Paquete TSOP II de 44 pines, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C