CY7C199D-10VXIT

CY7C199D-10VXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 32,768 palabras por 8 bits. La fácil expansión de la memoria se proporciona mediante una habilitación de chip BAJA activa (CE baja activa), una habilitación de salida BAJA activa (OE baja activa) y un controlador triestado. Este dispositivo tiene una función de apagado automático, que reduce el consumo de energía cuando no está seleccionada. Los pines de entrada y salida (I/O0 a I/O7) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (activo-bajo CE HIGH), las salidas están deshabilitadas (activo-bajo OE HIGH) o durante una operación de escritura (activo-bajo CE LOW y activo-bajo WE LOW). Escriba en el dispositivo tomando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de escritura (WE activo bajo) en BAJAS. Lea desde el dispositivo tomando la habilitación del chip (CE activo bajo) y la habilitación de salida (OE activo bajo) en BAJO mientras fuerza la habilitación de escritura (WE activo bajo) en ALTO. El dispositivo CY7C199D es adecuado para interactuar con procesadores que tienen niveles I/P TTL.

• Pin y función compatibles con CY7C199C
• Alta velocidad tAA=10ns
• La corriente activa baja ICC es de 80mA a 10ns
• Bajo consumo de energía en espera de CMOS ISB2=3mA
• Retención de datos de 2.0V, voltaje nominal de 5V ± 0.5V
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad/potencia óptimas
• Entradas y salidas compatibles con lógica transistor-transistor (TTL)
• Paquete SOJ moldeado de 28 pines
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C