FM28V100-TG

FM28V100-TG es una memoria F-RAM no volátil de 128K × 8 que lee y escribe de manera similar a una SRAM estándar. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil, lo que significa que los datos se conservan después de que se corta la energía. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina los problemas de confiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería (BBSRAM). Los tiempos de escritura rápidos y la alta resistencia de escritura hacen que la F-RAM sea superior a otros tipos de memoria. El funcionamiento del FM28V100 es similar al de otros dispositivos RAM y, por lo tanto, puede utilizarse como reemplazo directo de una SRAM estándar en un sistema. Los ciclos de lectura y escritura pueden activarse habilitando el chip o simplemente cambiando la dirección. La memoria F-RAM no es volátil debido a su exclusivo proceso de memoria ferroeléctrica.

• Rango de voltaje de la fuente de alimentación de 2.0V a 3.6V, densidad de 1Mbit
• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 1 Mbit (F-RAM) organizada lógicamente como 128 K × 8
• Alta resistencia: 100 billones de lecturas/escrituras, retención de datos durante 151 años
• Escritura sin retrasos, funcionamiento en modo de página con un tiempo de ciclo de 30ns
• Pinout SRAM 128K × 8 estándar de la industria, la corriente de suministro VDD es 7mA típica (VDD = 3.6V)
• El tiempo de acceso para habilitar el chip es de 60ns como máximo (VDD=2.7V a 3.6V)
• El tiempo de ciclo de lectura es de 90ns como mínimo (VDD=2-7V a 3.6V)
• Sin preocupaciones por la batería, confiabilidad monolítica, verdadera solución de montaje en superficie, sin pasos de retrabajo
• Superior a la humedad, golpes y vibraciones.
• Paquete TSOP I de 32 pines, rango operativo industrial de -40 a +85 °C