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IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, TDSON ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S4L26ATMA1
No. Parte Newark86AK5252
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N33W
Disipación de Potencia de Canal P33W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
33W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
33W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Alternativas para el número de pieza IPG20N06S4L26ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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