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IRF5801TRPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5801TRPBF
No. Parte Newark25M9806
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRF5801TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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