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IRF6645TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 25 A, 35 mohm, DirectFET SJ, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6645TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9183
Cinta adhesiva13AC9183
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.582 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $2.090 | $0.582 |
| 10+ | $1.340 | $0.582 |
| 25+ | $1.180 | $0.582 |
| 50+ | $1.040 | $0.582 |
| 100+ | $0.895 | $0.582 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6645TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9183
Cinta adhesiva13AC9183
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Diseño de TransistorDirectFET SJ
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9V
Disipación de Potencia Pd42W
Disipación de Potencia42W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF6645TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia strongIRFET™ de canal N único en un paquete DirectFET™ SJ adecuado para su uso en fuentes de alimentación y convertidores CD-CD aislados.
- Optimizado para rectificación síncrona
- MOSFET de aplicación específica
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Clasificación de alta corriente
- Capacidad de enfriamiento de dos lados
- Alta densidad de potencia
- Rendimiento térmico óptimo
- Factor de forma compacto
- Alta eficiencia
- Amigable con el medio ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Diseño de Transistor
DirectFET SJ
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
42W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9V
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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