S25FL128SAGMFI003

S25FL128SAGMFI003 es una memoria flash no volátil FL-S, multi-E/S, 3.0V, que utiliza tecnología MIRRORBIT™, que almacena dos bits de datos en cada transistor de matriz de memoria, arquitectura eclipse que mejora drásticamente el rendimiento del programa y borrado, y litografía de proceso de 65nm. Este dispositivo se conecta a un sistema host a través de SPI. Se admite la entrada y salida serial SPI tradicional de un solo bit (E/S simple o SIO), así como comandos seriales opcionales de dos bits (E/S dual o DIO) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se llama SPI multi-E/S o MIO. Además, la familia FL-S agrega soporte para comandos de lectura DDR para SIO, DIO y QIO que transfieren direcciones y leen datos en ambos bordes del reloj. Ofrece altas densidades combinadas con la flexibilidad y el rápido rendimiento que requieren una variedad de aplicaciones integradas. Esto es ideal para el seguimiento de código, XIP y almacenamiento de datos.

• Resistencia de ciclos, 100,000 ciclos de borrado de programa, mínimo
• Retención de datos, retención de datos de 20 años, mínimo
• Matriz OTP de 1024 bytes, protección de bloque
• Bits de registro de estado para controlar la protección contra el programa o el borrado de un rango contiguo de sectores
• Protección avanzada del sector (ASP), protección individual del sector controlada por código de arranque o contraseña
• Voltaje de alimentación del núcleo: 2.7 V a 3.6 V
• Voltaje de alimentación de E/S: 1.65 V a 3.6 V
• Velocidad de 133MHz
• Paquete SO de 16 pines
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C