S29GL128S90TFI010.

La S29GL128S90TFI010 es una memoria Flash no volátil MirrorBit® Eclipse™ de 128MB fabricada con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 90ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90ns. Cuentan con un búfer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512bytes en una operación, lo que resulta en un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar. Esto hace que el dispositivo sea ideal para las aplicaciones eMBedded actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.

• El sector de direcciones más alto está protegido
• E/S versátil™: amplio rango de voltaje de E/S de 1.65V a VCC
• Lectura asincrónica de páginas de 32 bytes
• Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
• Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
• Protección avanzada del sector: métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
• Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI)
• 100000 ciclos de borrado para cualquier sector típico
• 20 años de retención de datos típica