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S70GL02GS11FHI020
Memoria Flash, NOR Paralela, 2 Gbit, 128M x 16bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS11FHI020
No. Parte Newark62AK6012
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
359 En Stock
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339 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS11FHI020
No. Parte Newark62AK6012
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria2
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 16bit
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S70GL02GS11FHI020 is a S70GL02GS MIRRORBIT™ flash memory device is fabricated on 65-nm MIRRORBIT™ process technology. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time of 110ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard single byte/word programming algorithms. This makes the device an ideal product for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core with versatile I/O™, single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature- wide I/O voltage (VIO): 1.65V to VCC, ×16 data bus
- 16-word/32-byte page read buffer, 512byte programming buffer
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes, uniform 128KB sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status Register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Advanced sector protection (ASP), volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Protects first or last sector, or first and last sectors of each device
- Industrial temperature range from (–40°C to +85°C)
- VIO = VCC = 2.7V to 3.6V, lowest address sector protected
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto