IS42S32800J-6BLI

IS42S32800J-6BLI es una DRAM síncrona de 256Mb que logra una transferencia de datos de alta velocidad mediante una arquitectura de canalización. Todas las señales de entrada y salida se refieren al flanco ascendente de la entrada de reloj. La SDRAM de 256Mb está organizada en 4 bancos de 2 Meg x 32 bit. Es una memoria de acceso aleatorio dinámica CMOS de A alta velocidad diseñada para operar en sistemas de memoria de 3.3V Vdd y 3.3V Vddq que contienen 268,435,456 bits. Configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona. Cada banco de 67,108,864 - bits está organizado como 4,096 filas por 512 columnas por 32 bits. La SDRAM de 256Mb incluye un MODO DE ACTUALIZACIÓN AUTOMÁTICA y un modo de ahorro y apagado de energía. Todas las señales se registran en el flanco positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son compatibles con LVTTL.

• Completamente sincrónico; todas las señales referenciadas a un flanco de reloj positivo
• Banco interno para ocultar el acceso a la fila/precarga, la fuente de alimentación única es de 3.3V ± 0.3V
• Interfaz LVTTL, secuencia de ráfagas programable: secuencial/entrelazada
• Actualización automática (CBR), actualización automática, dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• Latencia CAS activa y baja programable (2, 3 relojes)
• Capacidad de operaciones de lectura/escritura en ráfaga y de lectura/escritura única en ráfaga
• Terminación de ráfaga mediante comando de precarga y parada de ráfaga
• Frecuencia de 166MHz, velocidad de 6ns
• Paquete TF-BGA de 90 bolas
• Rango de clasificación de industrial de -40°C a +85°C