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IS42VM16160K-75BLI
DRAM, SDR móvil, 256 Mbit, 16M x 16bit, 133 MHz, BGA, 54 Pines
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42VM16160K-75BLI
No. Parte Newark29X5177
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42VM16160K-75BLI
No. Parte Newark29X5177
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDR móvil
Densidad de Memoria256Mbit
Configuración de Memoria16M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj133MHz
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
IS42VM16160K-75BLI es una DRAM síncrona CMOS móvil de 268.435.456 bits que está organizada en 4 bancos de 4.194.304 palabras x 16 bits. Este producto ofrece un funcionamiento totalmente sincrónico y está referenciado a un borde positivo del reloj. Todas las entradas y salidas están sincronizadas con el flanco ascendente de la entrada del reloj. Las rutas de datos están canalizadas internamente para lograr un alto ancho de banda. Todos los niveles de voltaje de entrada y salida son compatibles con LVCMOS.
- Actualización automática y actualización automática, todos los pines son compatibles con la interfaz LVCMOS
- Ciclo de actualización de 8K / 64ms
- Longitud de ráfaga y tipo de ráfaga programables: 1, 2, 4, 8 o página completa para ráfaga secuencial
- La latencia CAS programable es de 2.3 relojes.
- Todas las entradas y salidas referenciadas al borde positivo del reloj del sistema.
- Función de máscara de datos por DQM, operación interna de 4 bancos, operación de escritura única de lectura en ráfaga
- Soporte de funciones especiales, actualización automática de matriz parcial, actualización automática con compensación de temperatura
- Precarga automática, incluye modo de precarga automática CONCURRENTE y precarga controlada
- Configuración 16Mx16, frecuencia 133MHz, velocidad 7.5ns, VDD = 1.8V
- Paquete BGA de 54 bolas, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDR móvil
Configuración de Memoria
16M x 16bit
Estuche / Paquete CI
BGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Densidad de Memoria
256Mbit
Frecuencia Max de Reloj
133MHz
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto