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IS43DR86400E-3DBLI
DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8bit, 333 MHz, BGA, 60 Pines
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR86400E-3DBLI
No. Parte Newark81Y1284
Hoja de datos técnicos
242 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.380 |
| 10+ | $5.010 |
| 25+ | $4.860 |
| 50+ | $4.750 |
| 100+ | $4.610 |
| 250+ | $4.480 |
| 500+ | $4.370 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR86400E-3DBLI
No. Parte Newark81Y1284
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria512
Configuración de Memoria64M x 8bit
Frecuencia Max de Reloj333
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines60Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR2
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Estuche / Paquete CI
BGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
512
Frecuencia Max de Reloj
333
No. de Pines
60Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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