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IS61C256AL-12TLI
SRAM, 256KBIT, 12NS, TSOP-I-28
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61C256AL-12TLI
No. Parte Newark65AC6027
Hoja de datos técnicos
158 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.900 |
| 10+ | $1.820 |
| 100+ | $1.750 |
| 702+ | $1.670 |
| 1170+ | $1.650 |
| 2574+ | $1.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$1.90
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61C256AL-12TLI
No. Parte Newark65AC6027
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria256Kbit
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria32K x 8bit
Estuche / Paquete CITSOP-I
Memoria, Tipo0
No. de Pines28Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nom.5V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
TSOP-I
No. de Pines
28Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
5V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
256Kbit
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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