IS61WV25616EDBLL-10BLI

IS61WV25616EDBLL-10BLI es una RAM estática CMOS asíncrona de alta velocidad de 256K x 16 con ECC. Es una de RAM estática de alta velocidad de 4,194,304 bits, organizada en 262,144 palabras por 16 bits. Está fabricado utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía. Cuando el CE activo bajo está en ALTO (deseleccionado), el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con niveles de entrada CMOS. La expansión de memoria es fácil mediante el uso de entradas de habilitación de chip y habilitación de salida, CE activo bajo y OE activo bajo. La habilitación de escritura BAJA activa (WE activa baja) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso al byte superior (UB activo-bajo) y al byte inferior (LB activo-bajo).

• El tiempo de acceso de alta velocidad es de 10ns, la fuente de alimentación única es Vdd 2.4V a 3.6V
• La potencia activa baja es de 85mW (típica), la potencia en espera baja es de 7mW (típica) CMOS en espera
• Funcionamiento totalmente estático: no requiere reloj ni actualización
• Tres salidas de estado, control de datos para bytes superiores e inferiores
• Detección de errores y corrección de errores
• La capacitancia de entrada/salida es 8pF (Vout = 0V)
• Paquete de 48 mini BGA
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C