IS61WV5128FBLL-10TLI

IS61WV5128FBLL-10TLI es una RAM estática asincrónica, de alta velocidad y bajo consumo de energía, de 4 Mbit, organizada como 512k palabras por 8 bits. Está fabricado utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo. Cuando CS# está ALTO (deseleccionado), el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con niveles de entrada CMOS. La expansión de memoria es fácil mediante el uso de entradas de habilitación de chip y habilitación de salida. La habilitación de escritura BAJA activa (WE#) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria.

• El tiempo de acceso de alta velocidad es de 10ns.
• La corriente activa baja es de 35mA (máximo, 10 ns, I-temp)
• La corriente de espera baja es de 10mA (máximo, I-temp)
• La fuente de alimentación única es de 2.4V a 3.6V VDD
• Salidas de tres estados
• La capacitancia de entrada es 6pF (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VDD = VDD(típ))
• Paquete TSOP (Tipo II)
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C