DS1230Y-100+

El DS1230Y-100+ es una SRAM no volátil de 256k, compuesta por 262,144 bits, totalmente estática y no volátil, organizada como 32,768 palabras por 8 bits. Cada NV SRAM tiene una fuente de energía de litio - autocontenida y un circuito de control que monitorea constantemente el VCD en busca de una condición fuera de tolerancia. Cuando ocurre tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. Los dispositivos DS1230 con paquete DIP se pueden utilizar en lugar de las RAM estáticas de 32k x 8 existentes, cumpliendo directamente con el popular estándar DIP de 28 pines con ancho de byte. Los dispositivos DIP también coinciden con la distribución de pines de las EEPROM 28256, lo que permite la sustitución directa y mejora el rendimiento. No hay límite en la cantidad de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

• Retención mínima de datos durante 10 años en ausencia de energía externa
• Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
• Reemplaza memoria RAM estática volátil de 32k x 8, EEPROM o flash
• Ciclos de escritura ilimitados
• CMOS de baja potencia
• Rango operativo completo de ±10% VCC

Notas

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