DS1230Y-200IND+

El DS1230Y-200IND+ es una SRAM no volátil de 256 KB en un paquete EDIP de 28 pines. Es una SRAM de 262,144 bits, totalmente estática, no volátil, organizada como 32,768 palabras por 8 bits. El NV SRAM tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC en busca de una condición fuera de tolerancia. Cuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. Este dispositivo se puede usar en lugar de las RAM estáticas de 32K x 8 existentes que se ajustan directamente al popular paquete DIP de 28 pines de bytewide. El dispositivo DIP coincide con el pin-out de 28256 EEPROM que permite la sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento. Este dispositivo es un paquete de módulos de bajo perfil diseñado específicamente para aplicaciones de montaje en superficie. No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

• Rango de voltaje de alimentación de 4.5V a 5.5V
• Rango de temperatura de operación entre -40°C y 85°C
• Reemplaza 32K x 8 RAM estática volátil, EEPROM o memoria flash
• Ciclos de escritura ilimitados
• CMOS de baja potencia
• El tiempo de acceso de lectura y escritura es de 200ns
• La fuente de energía de litio se desconecta para conservar la frescura hasta que se aplica energía por primera vez

Notas

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