DS1245Y-70IND+

El DS1245Y-70IND+ es una SRAM no volátil de 1024K en un paquete EDIP de 32 pines. Esta SRAM no volátil totalmente estática de 1,048,576 bits está organizada como 131,072 palabras por 8 bits. Tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC en busca de una condición fuera de tolerancia. Cuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se encenderá automáticamente y la protección contra escritura se habilitará incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para retener la frescura hasta que se aplica energía por primera vez. El dispositivo DS1245 con paquete DIP se puede utilizar en lugar de las RAM estáticas de 128 K x 8 existentes que se ajusten directamente al popular estándar DIP de 32 pines de bytes. No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

• Rango de voltaje de alimentación de 4.5V a 5.5V
• Rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C
• Retención mínima de 10 años en ausencia de alimentación externa.
• Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
• Tecnología CMOS de baja potencia
• Tiempo de acceso de lectura y escritura de 70ns.
• Tensión de protección contra escritura de 4.37V
• Capacitancia de entrada-salida 5pF

Notas

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