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23A640-I/P
SRAM, SRAM síncrona, 8 Kbit, 8K x 8bit, DIP, 8 Pines, 1.5 V
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 540+ | $0.817 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte Fabricante23A640-I/P
No. Parte Newark08P0018
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM síncrona
Tamaño de la Memoria8Kbit
Configuración Memoria SRAM8K x 8bit
Densidad de Memoria8Kbit
Configuración de Memoria8K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango1.7V to 1.95V
Memoria, TipoDIP
Estuche / Paquete CIDIP
No. de Pines8Pines
Tensión de Alimentación Mín.1.5V
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Máx.1.95V
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
Frecuencia Max de Reloj16MHz
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM síncrona
Configuración Memoria SRAM
8K x 8bit
Configuración de Memoria
8K x 8bit
Memoria, Tipo
DIP
No. de Pines
8Pines
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
8Kbit
Densidad de Memoria
8Kbit
Tensión de Alimentación, Rango
1.7V to 1.95V
Estuche / Paquete CI
DIP
Tensión de Alimentación Mín.
1.5V
Tensión de Alimentación Máx.
1.95V
Frecuencia Max de Reloj
16MHz
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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