MT41K512M16VRP-107 AAT:P

MT41K512M16VRP-107 AAT:P es una SDRAM DDR3L TwinDie de 1.35V. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad configurado internamente como dos SDRAM DDR3L de 8 bancos. Utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura de prebúsqueda 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en las bolas de E/S. Un solo acceso de lectura o escritura consta de una única transferencia de datos de 8n bits de ancho y un ciclo de reloj en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de n bits de ancho y medio ciclo de reloj en las bolas de E/S.

• Configuración de 512Meg x 16, velocidad de datos de 1866MT/s, certificación automotriz
• El estilo de empaque es FBGA de 96 bolas
• El tiempo (tiempo de ciclo) es de 1.07ns en CL = 13 (DDR3-1866)
• El rango de temperatura de funcionamiento es de –40 °C a +105 °C, certificación automotriz.
• El rango de voltaje de suministro es de –0.4V a 1.975V, calibración del controlador de salida
• Luz estroboscópica de datos bidireccional diferencial, arquitectura de captación previa de 8 bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#), 8 bancos internos, registro multipropósito
• Latencia CAS (LECTURA) programable (CL), latencia CAS (ESCRITURA) programable (CWL)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF), modo de actualización automática
• Temperatura de autoactualización (SRT), autoactualización automática (ASR)