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                      MT47H128M16RT-25E:C

                      DRAM, DDR2, 2 Gbit, 128M x 16bit, 400 MHz, FBGA, 84 Pines

                      MICRON MT47H128M16RT-25E:C
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteMICRON
                      No. Parte FabricanteMT47H128M16RT-25E:C
                      No. Parte Newark80AH8120
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      50+$13.500
                      100+$13.170
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                      500+$12.410
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                      Información del producto

                      FabricanteMICRON
                      No. Parte FabricanteMT47H128M16RT-25E:C
                      No. Parte Newark80AH8120
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de DRAMDDR2
                      Densidad de DRAM2Gbit
                      Densidad de Memoria2
                      Configuración de Memoria128M x 16bit
                      Configuración Memoria DRAM128M x 16bit
                      Frecuencia de Reloj400MHz
                      Frecuencia Max de Reloj400
                      Estuche / Paquete CIFBGA
                      Memoria, TipoFBGA
                      No. de Pines84Pines
                      Tensión de Alimentación Nom.1.8
                      Tiempo de Acceso2.5ns
                      IC, MontajeSurface Mount
                      Temperatura de Trabajo Mín.0
                      Temperatura de Trabajo Máx.85
                      Rango de Producto-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)

                      Resumen del producto

                      La MT47H128M16RT-25E:C es una SDRAM DDR2. Utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es A arquitectura de prebúsqueda 4n , con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en las bolas de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la SDRAM DDR2 consta de una única transferencia de datos de 4n bits de ancho y dos ciclos de reloj en el núcleo DRAM interno y cuatro transferencias de datos correspondientes de n bits de ancho y medio ciclo de reloj en las bolas de E/S.

                      • El rango de voltaje de operación es de -1.0V a 2.3V(VDD)
                      • Configuración de 128 Meg x 16, 8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
                      • El estilo del paquete es FBGA de 84 bolas de 9.0mm x 12.5mm
                      • El tiempo (tiempo de ciclo) es de 2.5ns en CL = 5 (DDR2-800)
                      • Temperatura de funcionamiento desde 0°C hasta +85°C
                      • La velocidad de datos es de 800MT/s, opción de estroboscopio de datos diferencial (DQS, DQS#)
                      • DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK, opción de salida duplicada de estroboscopio (RDQS) para x8
                      • Latencia CAS programable (CL), latencia aditiva CAS publicada (AL)
                      • Terminación en chip (ODT), compatible con la especificación de fluctuación de reloj JEDEC
                      • E/S de 1.8V estándar JEDEC (compatible con SSTL_18), tiempo de respuesta 8D

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de DRAM

                      DDR2

                      Densidad de Memoria

                      2

                      Configuración Memoria DRAM

                      128M x 16bit

                      Frecuencia Max de Reloj

                      400

                      Memoria, Tipo

                      FBGA

                      Tensión de Alimentación Nom.

                      1.8

                      IC, Montaje

                      Surface Mount

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      85

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 3 - 168 hours

                      Densidad de DRAM

                      2Gbit

                      Configuración de Memoria

                      128M x 16bit

                      Frecuencia de Reloj

                      400MHz

                      Estuche / Paquete CI

                      FBGA

                      No. de Pines

                      84Pines

                      Tiempo de Acceso

                      2.5ns

                      Temperatura de Trabajo Mín.

                      0

                      Rango de Producto

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (17-Jan-2023)

                      Documentos técnicos (1)

                      Technical Data Sheet EN

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

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