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MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AIT:B
No. Parte Newark25AK7954
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AIT:B
No. Parte Newark25AK7954
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4
Densidad de DRAM32Gbit
Densidad de Memoria32
Configuración Memoria DRAM1G x 32bit
Configuración de Memoria1G x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B es una memoria SDRAM LPDDR4X/LPDDR4 para automoción. La SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 1 canal × 16 E/S y tiene 8 bancos.
- Rango de Frecuencia: 2133–10MHz (rango de velocidad de datos por pin: 4266–20Mb/s)
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de lectura y escritura programables (RL/WL), longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16/32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Intensidad de salida seleccionable (DS), capacidad de detención del reloj, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
- Configuración de matriz de 1 Gig x 32 (2 canales x 16 E/S)
- Paquete TFBGA de 200 bolas, calificado según AEC-Q100.
- Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +95°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4
Densidad de Memoria
32
Configuración de Memoria
1G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto