MT53E256M32D2DS-046 IT:B

La MT53E256M32D2DS-046 IT:B es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 4Gb con bajo VDDQ. Es una memoria dinámica de acceso aleatorio CMOS de alta velocidad. Esta memoria está configurada internamente con E/S x16, 8 bancos. Cada uno de los bancos de 536,870.912 bits del x16 está organizado como 32768 filas por 1024 columnas por 16 bits. Ha dirigido la actualización por banco para la operación simultánea del banco y la facilidad de programación de comandos. Esta memoria tiene un sensor de temperatura en el chip para controlar la frecuencia de actualización automática. Tiene capacidad de parada de reloj.

• El rango de voltaje de funcionamiento es de 1.10V (VDD2)/0.60V o 1.10V (VDDQ)
• Configuración 256Meg x 32, LPDDR4, direccionamiento 2 dados
• El estilo de empaque es WFBGA de 200 bolas
• El tiempo de ciclo es 468ps, ᵗCK RL = 36/40
• El rango de temperatura de funcionamiento es de –40°C a +95°C, diseño B
• La velocidad del reloj es de 2133MHz, la velocidad de datos por pin es de 4266Mb/s
• Fuentes de alimentación de E/S y núcleo de voltaje ultrabajo
• Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
• Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
• Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), intensidad de transmisión de salida seleccionable (DS)