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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
DRAM, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-053 WT:B
No. Parte Newark83AH2738
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5+ | $36.330 |
| 10+ | $34.990 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-053 WT:B
No. Parte Newark83AH2738
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de DRAM0
Densidad de Memoria8
Configuración Memoria DRAM0
Configuración de Memoria256M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj1.866
Frecuencia de Reloj0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIWFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso0
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-30
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT53E256M32D2DS-053 WT:B is a 4Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. The device is internally configured with x16 I/O, 8-banks.
- 8Gb total density, 3733Mb/s data rate per pin
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 256 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2 die count
- 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- Frequency range from 2133 to 10MHz (data rate range form 4266 to 20Mb/s/ pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- 200-ball WFBGA (Ø0.35 SMD) package
- Operating temperature range from -30 to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Densidad de Memoria
8
Configuración de Memoria
256M x 32bit
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
WFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de DRAM
0
Configuración Memoria DRAM
0
Frecuencia Max de Reloj
1.866
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
0
Temperatura de Trabajo Mín.
-30
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto